北京時(shí)間8月13日消息，Computerworld網(wǎng)站日前發(fā)表文章稱，IBM研究人員在自旋電子學(xué)領(lǐng)域取得了重大技術(shù)突破，可以將電子自旋周期延長30倍，從而有望突破內(nèi)存行業(yè)面臨的“極限困境”，在未來引發(fā)新一輪“存儲(chǔ)革命”。
以下為文章全文：
著名科學(xué)期刊《自然》將在本周刊登一篇由IBM研究人員撰寫的論文，他們聲稱在自旋電子學(xué)領(lǐng)域取得了一項(xiàng)重大的技術(shù)突破，可以顯著提高內(nèi)存與存儲(chǔ)設(shè)備的存儲(chǔ)能力，同時(shí)能夠大大降低其能耗。
何為自旋電子學(xué)？
自旋電子學(xué)是“自旋遷移電子學(xué)”的簡稱，它能夠利用電子在磁場內(nèi)的自旋并結(jié)合讀寫頭，在半導(dǎo)體材料上記錄和讀取數(shù)位數(shù)據(jù)。
通過改變電子在其空間中的相對(duì)軸向（向上或向下），物理學(xué)家可以用它代表數(shù)據(jù)位。例如，電子在向上的軸上就是“1”，而電子在向下的軸上就是“0”。
長期以來，自旋電子學(xué)一直面臨一個(gè)固有的問題，因?yàn)殡娮?ldquo;向上或向下”的方向狀態(tài)只能保持100皮秒——1皮秒相當(dāng)于1秒的1萬億分之一（1納秒的千分之一）。100皮秒不足以進(jìn)行一次運(yùn)算，所以晶體管不能完成運(yùn)算功能，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)也不持久。
IBM讓自旋電子大跳“集體舞”
在發(fā)表于《自然》的這項(xiàng)研究中，IBM研究院與瑞士蘇黎世聯(lián)邦理工學(xué)院（簡稱“ETH”）固態(tài)物理實(shí)驗(yàn)室宣布，他們發(fā)現(xiàn)的一種同步方法可以將電子自旋周期延長30倍至1.1納秒，這也是1 GHz處理器的運(yùn)算周期。
該論文的聯(lián)合作者、IBM研究院納米物理研究小組的科學(xué)家吉安•薩里斯（Gian Salis）表示，IBM的科學(xué)家利用超短激光脈沖監(jiān)測一小塊地方內(nèi)成千上萬電子同時(shí)產(chǎn)生的自旋，從而了解這些電子自旋狀態(tài)的變化。
通常情況下，這些自旋電子會(huì)隨機(jī)旋轉(zhuǎn)并迅速失去方向性。在該項(xiàng)研究中，IBM和ETH的研究人員首次發(fā)現(xiàn)了如何將自選電子整齊地呈條帶狀排列的方法，這種排列又被稱為“恒定自旋螺旋”（persistent spin helix，簡稱PSH）。
薩里斯指出，“自旋鎖定”這一概念最早提出于2003年，之后的一些實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)了證明此類此類鎖定存在的跡象，但是迄今為止從未有人直接觀察到這一過程。
“自旋方向的這些旋轉(zhuǎn)是完全不相關(guān)的”薩里斯表示，“現(xiàn)在我們可以讓這種旋轉(zhuǎn)實(shí)現(xiàn)同步，從而讓電子保持自旋的同時(shí)又全部沿同一個(gè)方向旋轉(zhuǎn)，就像整齊劃一的集體舞一樣。”
“我們已經(jīng)完全掌握了這個(gè)過程，并且已經(jīng)證明了這一理論。”他補(bǔ)充道。
圖：電子螺旋式自旋模式圖以及“恒定自旋螺旋”（PSH）
創(chuàng)造電子產(chǎn)業(yè)新機(jī)遇
IBM的研究人員采用砷化鎵作為其主要半導(dǎo)體材料，這是當(dāng)今電子工業(yè)、二極管和太陽能電池常用的一種材料。
如今的計(jì)算技術(shù)通過電子的電荷變化來進(jìn)行數(shù)據(jù)的編碼與處理。然而研究人員指出，當(dāng)半導(dǎo)體材料的尺寸縮小到電子流不再受控時(shí)，這一技術(shù)就受到了限制。
例如，NAND閃存產(chǎn)品所使用的電路寬度已經(jīng)小于20納米，這是接近原子大小的尺寸。然而通過控制電子的自旋而非電荷，自旋電子學(xué)能夠克服內(nèi)存行業(yè)所面臨的這一困境。
對(duì)自旋電子學(xué)的這種最新解讀，不但能讓科學(xué)家前所未有地控制設(shè)備內(nèi)部的電磁運(yùn)動(dòng)，也為制造能效更高的電子設(shè)備創(chuàng)造了新機(jī)遇。
在自旋電子學(xué)領(lǐng)域，IBM并非唯一的技術(shù)鉆研者。
三年前，法國斯特拉斯堡材料物理與化學(xué)研究中心的物理學(xué)家們?cè)谧孕娮訉W(xué)的基礎(chǔ)上建立了新型激光技術(shù)，并且因此獲得了2007年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。
這些法國物理學(xué)家發(fā)現(xiàn)了一種方法，可以利用激光來加速硬盤的存儲(chǔ)輸入/輸出，使其比現(xiàn)有讀寫速度提高10萬倍。
自旋電子學(xué)遇到的問題之一，是用于檢測數(shù)據(jù)位的磁傳感器速度太慢。但是在2007年，法國的一項(xiàng)研究發(fā)表在科學(xué)期刊《自然-物理學(xué)》（Nature Physics）上，該研究小組使用“飛秒”（即1秒的1000萬億分之一、1皮秒的千分之一）激光產(chǎn)生速度超快的激光脈沖，從而改變電子自旋，因此加速了讀寫過程。
IBM的研究人員表示，說他們?nèi)〉玫耐黄茷榫w管和非易失性存儲(chǔ)開辟了道路，這種新型存儲(chǔ)技術(shù)的能耗將會(huì)遠(yuǎn)低于今天的NAND閃存技術(shù)。
需極端低溫環(huán)境
然而，一個(gè)很大的癥結(jié)在于——研究人員目前還不能在室溫下得到理想的結(jié)果，而正常范圍的溫度對(duì)于處理器和內(nèi)存設(shè)備的實(shí)際生產(chǎn)非常重要。目前來看，這一實(shí)驗(yàn)只有在低至40開爾文（即攝氏零下233度、華氏零下387華氏度）的極端低溫下才能進(jìn)行。
“現(xiàn)在還沒有這樣的設(shè)備，然而這是一項(xiàng)突破，我們掌握了延長電子在溝道內(nèi)自旋周期的方法。”薩里斯說道，“接下來我們想做的一件事情，就是把它（即自旋周期）延長30倍。”
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本文標(biāo)題：IBM突破自旋電子技術(shù) 或?qū)⒁l(fā)內(nèi)存革命
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