半導(dǎo)體廠商三星電子近日宣布將推出全球首款30納米級4GB DDR4服務(wù)器DRAM模塊。
三星電子繼2010年12月成功研發(fā)出業(yè)內(nèi)首款30納米級2GB DDR4模塊后，又在今年6月針對CPU廠商及控制器廠商推出了高性能16GB和8GB的DDR4 RDIMM模塊，把超高速DRAM應(yīng)用成功地延伸至服務(wù)器領(lǐng)域。
該模塊的運行電壓只有1.2V，與目前量產(chǎn)的4GB DDR3服務(wù)器DRAM模塊相比，能節(jié)省40%電耗，并且其數(shù)據(jù)處理速度提升至1600MHz，與現(xiàn)有DDR3服務(wù)器DRAM模塊相比提高了2倍。因此該模塊不僅能使服務(wù)器節(jié)省耗能，又能提高其性能。
三星電子今年下半年量產(chǎn)包括32GB RDIMM在內(nèi)的服務(wù)器產(chǎn)品，以加強與全球服務(wù)器顧客及CPU、控制器企業(yè)的技術(shù)合作，擴大差異化高端存儲器市場。
三星電子存儲器事業(yè)部戰(zhàn)略營銷部副社長洪完勛表示：“三星電子此次推出大容量DDR4服務(wù)器產(chǎn)品，旨在與CPU制造商及服務(wù)器制造商共同開發(fā)新一代高性能環(huán)保IT系統(tǒng)。今后，通過量產(chǎn)20納米級DDR4服務(wù)器系列產(chǎn)品，搶占包括企業(yè)服務(wù)器在內(nèi)的高端存儲器市場，繼續(xù)保持三星綠色存儲器在行業(yè)內(nèi)的競爭優(yōu)勢。”
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